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Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui le lancement du plus petit boîtier sur le marché destiné aux transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN)[2] (X-GaNTM)** à mode d’enrichissement [1] ...

Transphorm, Inc. a annoncé qu'elle fera la démonstration des résultats de R&D de son dispositif GaN 1200 volts lors du Symposium international sur les dispositifs et les circuits intégrés de ...

Ce wafer de 200 mm contient des composants électroniques latéraux en GaN fabriqués sur silicium. L'idée du projet Vertigo est de réaliser des transistors à géométrie verticale, pour gagner en densité.

Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...

Spin-off de la société Soitec et du CEA Tech créée en 2014 à Grenoble et Toulouse, Exagan conçoit et développe des transistors à base de nitrure de gallium qui permettent de multiplier par trois la ...

Sans eux, la fée électricité perdrait l’essentiel de ses pouvoirs. Les convertisseurs alimentent ordinateurs, luminaires ou télévisions avec exactement ce qu’il faut de tension et de puissance. Ils ...

Teledyne Technologies finalise l'acquisition de certaines activités d'Excelitas dans le domaine de l'électronique pour l'aérospatiale et la défense 03/02 MT Teledyne Technologies Incorporated ...

DE NOTRE CORRESPONDANT À PALO ALTO. Une nouvelle jeunesse pour la loi de Moore ? Cette « loi », émise par Gordon Moore, l'un des fondateurs d'Intel, stipule que, à prix égal, la puissance des ...

(Keystone-ATS) Dans les véhicules électriques ou les installations photovoltaïques, les convertisseurs entraînent d’importantes pertes d’énergie. Conçu à l’EPFL, un nouveau type de transistor permet ...