S'il n'est pas le plus ancien dans l'arbre généalogique des transistors, le « bipolaire », mis au point après le Fet (Field Effect Transistor), appartient tout de même plutôt au passé, davantage à ...

La structure d’un IGBT est basée sur celle d’un MOSFET vertical doublement diffusé [10] : l’épaisseur du support est utilisée pour séparer le drain de la source. Les épaisseurs typiques des wafers ...

La photo d‘archives du jour. Le 23 décembre 1947, à la suite des travaux sur les semi-conducteurs, le transistor bipolaire est réalisé pour la première fois par trois ingénieurs américains des ...

Contrairement à l'IGBT, dont la partie Fet est située à l'entrée, au niveau de la grille, l'ESBT met en oeuvre l'effet de champ au sein de l'émetteur, en sortie par conséquent, dans une configuration ...